China

Select Your Country or Region

  • China
  • Hong Kong, China
4-82-725
纯度:99.8% metals basis CAS:

英文名称:Gallium oxide, 99.8% metals basis

规格 目录价格 上海 安徽 武汉 成都 北方 深圳 会员价格 数量
g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +
5g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +
g 请询价 -- -- -- -- -- -- -- - +

  • 基本信息
  • 属性
  • 计算化学
  • 参考文献
  • 安全信息

英文名称

Gallium oxide, 99.8% metals basis

英文别称

中文别称

Smiles Code

O=[Ga][Ga]([O])[O]

分子式

Ga2O3

纯度

99.8% metals basis

氧化镓(III)用于真空沉积。它可用于制造半导体器件、镓-氧化铝催化剂、气体传感器、发光磷光体和太阳能电池的介电涂层。用作电介质薄膜中 99.999% 的蒸发材料和溅射靶材。它显示出开发用于紫外光电子器件的深紫外 TCO(透明导电氧化物)和透明电极的潜力。最近的研究报告称,氧化镓可以成为电力电子设备的有力竞争者,例如在超高压电源开关应用中。由氧化镓制成的薄膜由于其气体敏感特性而获得了商业利益,而由氧化镓制成的玻璃是用于先进技术的首选光学材料。
展开

56.87

[]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 22 Mar 28;4(2):455-6.

[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2 Oct 5;33(39):5397-4.

[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 22 Nov;2():848-6.

[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2 Aug 24;23(33):33422.

[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 23 Nov;3():7535-9.

H32-H35-H39-H335

P26-P264-P27-P27-P28-P32+P352-P34+P34-P35+P35+P338-P33-P362+P364-P43+P233-P45-P5

GHS7

历史浏览记录

资源工具

摩尔计算器

质量 (g) = 浓度 (mol/L) × 体积 (L) × (g/mol)

质量 浓度 体积 *
= × ×

给我们留言

您有任何问题或者建议,欢迎给我们留言,我们将尽快答复您。 * 是必填项。

8+

年研发经验

7天无理由退换

%质量检测

%产品包邮

亚薄世界杯
试剂

上海 企业 高校 江苏 企业 高校 浙江 企业 高校 北京 企业 高校 天津 企业 高校 河北 河北 广东 企业 高校 深圳 深圳 福建 福建 山东 山东 山西 山西 安徽 安徽 湖北 湖北 湖南 湖南 江西 江西 川渝 企业 高校 陕西 陕西 甘肃 甘肃 黑龙江 黑龙江 吉林 吉林 辽宁 辽宁 云南 云南 贵州 贵州 广西 广西 海南 海南 宁夏 宁夏 河南 河南 内蒙古 内蒙古 新疆 新疆 青海 青海
Baidu
map